曹全君

曹全君，男，1977年9月出生，浙江磐安人。2008年6月在西安电子科技大学微电子学院电子科学与技术专业（微电子学与固体电子学）获得工学博士学位，从事新型射频微波功率器件及其非线性模型、射频功率电路的设计等领域的研究。主讲《电子技术基础》、《半导体器件基础》和《微波技术与天线》等课程。

2008年7月起，在浙江工业大学任教，主要从事新型射频微波功率器件及其非线性模型、功率器件设计、太阳能太阳电池等研究方向。已在Science in China: Series F，Chinese  Physics B, Journal of Chinese semiconductor发表论文十多篇。主持石墨烯XXX技术（JG子项目）、浙江省科技厅公益项目《电动汽车充电服务系统关键技术研究》，完成浙江省教育厅项目和国家重点实验室开放基金各一项，作为主要研究人员参与国家973子项目一项、国家自然科学基金一项。

曹全君，男，浙江磐安人，中共党员，1977年9月出生。1999年毕业于西安电子科技大学微电子技术专业，1999～2002年信息产业部电子第十八研究所（天津）任助理工程师，进行高效GaAs/Ge太阳电池等863、973项目的研究和产业化，2002～2008年在西安电子科技大学分别攻读微电子学固体电子学硕士学位和电子科学与技术专业博士学位。2008年7月到浙江工业大学工作，任教《数字电路与数字逻辑课程》、《半导体物理和半导体器件》《数字电路与数字逻辑大型实验》等课程。以第一作者在Scinece in China: Series F，Chinese  Physics B, 半导体学报(Journal of Chinese semiconductor)等国内外期刊和国内外会议上发表了高水平论文10多篇，其中SCI索引论文5篇，EI索引论文7篇，主持省部级项目2项。任智能系统与机器人所和光纤通信与信息工程所党支部书记。

任教课程：

集成电路设计

电工技术基础

微波电路设计

数字电路和数字逻辑

电子电路

半导体器件基础

2018年校实习实践先进个人。

2020年学院就业先进个人

1. 石墨烯XXX技术研究（子项目）

2. 电动汽车智能充电桩技术研究（浙江省科技厅公益项目）

3. 硅叠层太阳电池技术研究（中科院天然气和水合物重点实验室基金）

[1] Cao Quanjun,Zhang Yimen, Zhang Yuming, Lv Hongliang,Wang Yuehu,Chang Yuancheng, Tang Xiaoyan ” A CAD Oriented quasi-analytical large signal drain current model for 4H-SiC MESFETs”, Chinese Physics B(IF:2.103,2007),2007, 16(4):1097-1100  (SCI: 000245213000039 EI：072410654205)

[2] Quanjun Cao, Yimen Zhang, Yuming Zhang, Hongliang Lv, Hui Guo, Xiaoyan Tang, Yuehu Wang,” A New Empirical Large Signal Model of  4H-SiC MESFETs for the Nonlinear Analysis”, Chinese Journal of Semiconductor, 2007, 28(7):1024-1029（EI: 073210754418）

[3] Cao Quanjun , Zhang Yimen , Zhang Yuming , Lv Hongliang, Wang Yuehu, Tang Xiaoyan, Guo Hui, ” Improved Empirical DC I-V Model for 4H-SiC MESFETs”, Science in China: Series F, 2008,51(8):1184-1192 (EI:083411474927,SCI：UT ISI: 000257394000017)

[4] Quanjun Cao, Yimen Zhang, Yuming Zhang” A new physics-based self-heating effect model for 4H-SiC MESFETs”, Chinese physics B(IF:2.103,2007), 2008,17(12):4622-4626(EI:082111273089,SCI检索)

Quanjun Cao, Yimen Zhang, Jia Lixin,” Model and analysis of Drain Induced Barrier Lowering Effect for 4H-SiC MESFETs ”, Vol.1, No.10，Oct., 2009(EI:20094512422246,SCI WOS:000270300600058)

[5] )

[6] 曹全君，张义门，张玉明，汤晓燕，吕红亮，王悦湖, “4H-SiC MESFET的新型经验电容模型”, 固体电子学研究与进展（EI: 083411474927），Vol.28(1),2008，p.33-37

[7] 曹全君,张义门,张玉明, “一种改进的4H-SiC MESFET大信号解析模型”,电子器件，2007年8月,30(4)pp.1148-1151

[8] 曹全君张义门 张玉明 吕红亮 王悦湖 汤晓燕 “基于电荷推导的4H-SiC MESFET大信号电容解析模型” 宽禁带半导体技术交流会中国北京2006.10

[9] Cao, Quanjun; Zhang, Yimen; Zhang, Yuming; Guo, Hui, A new self-heating effects model for 4H-SiC MESFETs, 2007 International Semiconductor Device Research Symposium, ISDRS, Dec 12-14 2007, College Park, MD, United States(EI: 082511321507)

[10] Cao Quanjun, Zhang Yimen, Zhang Yuming, Chang Yuancheng, ” A CAD Oriented 4H-SiC MESFET quasi-analytical large signal drain current model ”,IEEE IWJT,May 15-16 Shanghai, China, p268－272（EI:072510656208）

[11] Cao, Quanjun; Zhang, Yimen; Zhang, Yuming, An analytical model of drain induced barrier lowering effect for SiC MESFETs, IWJT-2008 - Extended Abstracts 2008 International Workshop on Junction Technology, May 15-16 2008, Shanghai, China (EI: 083711526994, UT ISI:000256555000026)

[12] 曹全君, 张义门,张玉明 张甲阳，”新型4H-SiC MESFET大信号模型在ADS的实现”, 十六届半导体物理学术会议，兰州，2007.9

[13] 曹全君 张义门 张玉明 郭辉，4H-SiC MESFETs自热效应新模型，第十五届全国半导体集成电路硅材料学术会议，重庆，2007,10.30~11.2

[14] 吕红亮，张义门，张玉明，车勇，曹全君，郑少金，Physical based model for trapping and self-heating effects in 4H-SiC MESFETs，Applied Physics A: Materials Science and Processing,Vol. 91, n 2, May, 2008, pp. 287～290, EI:081311173999,SCI: UT ISI:000254086700015

[15] Chang Yuancheng, Zhang Yimen, Zhang Yuming, Wang Chao and Cao Quanjun, “Parameter Extraction for Small Signal Equivalent Circuit of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors”, Chinese Journal of Electron Devices（电子器件）,2007,30(1) pp.50-53(第五作者，英文)

[16] Chang Yuancheng, Zhang Yimen, Zhang Yuming, Cao Quanjun and Wang Chao, “An Analytical Model of Large Signal DC I-V Characteristics for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors”, Chinese Journal of Electron Devices（电子器件）,2007,30(2)pp.353-355(第四作者，英文)

[17] 邵科; 曹全君; 张义门; 张玉明; 孙明; 基于陷阱的4H-SiC MESFET频散效应分析, 微电子学,37(6), 2007年12月,pp.830-832

[18]  曹全君 贾立新  王涌，数字电路教学中规范触发器概念的思考，高等理科教育，教育教学研究专辑（二），2009年9月，p.29-31，（教学论文）